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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈贵锋; 谭小动 ; 万尾甜; 沈俊; 郝秋艳; 唐成春; 朱建军; 刘宗顺; 赵德刚; 张书明
 Adobe PDF(762Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1284/511 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu WB (Liu Wen-Bao); Zhao DG (Zhao De-Gang); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui); Liu, WB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. wbliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Deng Y; Zhao DG; Wu LL; Liu ZS; Zhu JJ; Jiang DS; Zhang SM; Liang JW; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘文宝; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 朱建军; 张书明; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邓懿; 赵德刚; 吴亮亮; 刘宗顺; 朱建军; 江德生; 张书明; 梁骏吾
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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
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| Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
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| 一种化学气相淀积外延设备用的进气装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN200920222264.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱建军; 王海; 史永生
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| 具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 朱继红; 张书明; 朱建军
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| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 杨辉
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