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GaN 基纳米结构LED 的制作及测试分析研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  朱继红
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具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱继红;  张书明;  朱建军
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