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单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010121621.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐爱伟;  曲胜春;  王占国
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广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  刘孔;  曲胜春;  谭付瑞;  唐爱伟;  金兰;  张君梦;  徐文清
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