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无机纳米材料的制备、自组装及光电性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  唐爱伟
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单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010121621.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐爱伟;  曲胜春;  王占国
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