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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu W ; Wang XD; Li YQ; Geng ZX; Yang FH; Li JM; Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. xdwang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu Wen; Li Yueqiang; Chen Jianjun; Chen Yanling; Wang Xiaodong; Yang Fuhua
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华; 曾一平
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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
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| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华
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