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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao Y;  Zhang XW;  Yin ZG;  Qu S;  You JB;  Chen NF;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Cai PF;  Dong JJ;  Gao Y;  Yin ZG;  Chen NF;  Wang RZ;  Yan H;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu S;  Zhang XW;  Gao Y;  You JB;  Fan YM;  Yin ZG;  Chen NF;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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制备有序Al纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910082081.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  游经碧;  张兴旺;  高云;  董敬敬;  陈诺夫
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一种制备氧化锌纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237099.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  董敬敬;  张兴旺;  游经碧;  高云
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