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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Zhang HY;  Zhou GY;  Li TF;  Liu JQ;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
Adobe PDF(1941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1621/395  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Li TF;  Zhou GY;  Zhang HY;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张春玲;  唐蕾;  徐波;  陈涌海;  王占国
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利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  徐波;  张春林;  王占国 
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1316/167  |  提交时间：2009/06/11
一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Zhao M;  Zhang CL;  Xu B;  Yu LK;  Sun J;  Lei W;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1653/335  |  提交时间：2010/03/29
Monte Carlo Simulation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CL;  Tang L;  Wang YL;  Wang ZG;  Xu B;  Zhang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhangchl@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张冠杰;  徐波;  陈涌海;  姚江宏;  林耀望;  舒永春;  皮彪;  邢晓东;  刘如彬;  舒强;  王占国;  许京军
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