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| 一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 姚飞; 薛春来 ; 成步文; 王启明
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| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 左玉华; 王启明
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| 制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 薛春来; 成步文; 姚飞; 王启明
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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明
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| 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马志华; 左玉华; 薛春来; 成步文; 王启明; 郑世雄
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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| 硅基锗激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-04
发明人: 刘智; 成步文; 李传波; 李亚明; 薛春来; 左玉华; 王启明
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| 廉价粉末多晶硅基纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-12
发明人: 李传波; 张春倩; 薛春来; 成步文; 王启明
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| 一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
发明人: 李传波; 张春倩; 张大林; 薛春来; 成步文; 王启明
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