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无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁松;  朱洪亮
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长波长InAs/GaAs 量子点的MOCVD 生长及激光器制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  梁松
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Anomalous temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates 会议论文
Proceedings of International Symposium on Biophotonics Nanophotonics and Metamaterials, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, OCT 16-18, 2006
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Zhou JT;  Cheng YB;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Chemical-vapor-deposition  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1064/206  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Ye XL;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liangsong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：927/293  |  提交时间：2010/04/11