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| 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007 发明人: 杨 涛; 季海铭 Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1216/204  |  提交时间:2010/03/19 |
| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1377/248  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 汪明; 杨涛 Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1356/234  |  提交时间:2012/09/09 |
| 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨晓光; 杨涛 Adobe PDF(313Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1185/211  |  提交时间:2012/09/09 |
| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1364/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度特性的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910088813.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 曹玉莲; 杨涛 Adobe PDF(388Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:985/141  |  提交时间:2011/08/31 |
| 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国 Adobe PDF(878Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:558/4  |  提交时间:2016/09/12 |
| 生长InP基InAs量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20 发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:667/102  |  提交时间:2014/10/24 |
| 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18 发明人: 韩伟华; 王昊; 马刘红; 洪文婷; 杨晓光; 杨涛; 杨富华 Adobe PDF(1312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:599/64  |  提交时间:2014/11/17 |
| 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 韩伟华; 杨晓光; 杨涛; 王昊; 洪文婷; 杨富华 Adobe PDF(1132Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:578/64  |  提交时间:2014/11/17 |