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| 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
发明人: 杨 涛; 季海铭
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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王科范; 杨晓光 ; 杨涛; 王占国
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| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 汪明; 杨涛
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| 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 杨晓光; 杨涛
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| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
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| 通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度特性的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088813.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 曹玉莲; 杨涛
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| 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国
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| 生长InP基InAs量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 季海铭; 罗帅; 杨涛
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| 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 韩伟华; 王昊; 马刘红; 洪文婷; 杨晓光; 杨涛; 杨富华
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| 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 韩伟华; 杨晓光; 杨涛; 王昊; 洪文婷; 杨富华
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