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| 采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人: 郑婉华; 刘安金; 任 刚; 邢名欣; 渠宏伟; 陈良惠
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| 高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人: 郑婉华; 陈 微; 邢名欣; 任 刚; 周文君; 刘安金; 陈良惠
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| 一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 曹玉莲 ; 陈良惠
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| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠
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| Demonstration of high efficient tunable lasing with one photonic crystal W1 waveguide 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者: Zheng WH (Zheng Wanhua); Xing MX (Xing Mingxin); Chen; W (Chen Wei); Zhou WJ (Zhou Wenjun); Liu AJ (Liu Anjin); Wang HL (Wang Hailing); Chen LH (Chen Lianghui)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang H; Zhu HL; Jia LH; Chen XF; Kong DH; Wang LS; Zhang W; Zhao LJ; Wang W; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan2l@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu YT; Cao Q; Song GF; Chen LH; Liu YT Chinese Acad Sci Inst Semicond Nano Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ytliu@semi.ac.cn
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| Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者: Ji HM; Yang T; Cao YL; Ma WQ; Cao Q; Chen LH; Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Density-of-states |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ji HM; Cao YL; Yang T; Ma WQ; Cao Q; Chen LH; Ji HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng WH; Xing MX; Ren G; Johnson SG; Zhou WJ; Chen W; Chen LH; Zheng WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whzheng@red.semi.ac.cn
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