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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Pan X; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yang CB; Li W; Wang WY; Jin P; Wang ZG Adobe PDF(549Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1463/460  |  提交时间:2011/07/07 |
| 一种化学气相沉积装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1537/272  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙国胜; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(406Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1637/292  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010269018.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 冉军学; 胡国新; 梁勇; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(756Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/250  |  提交时间:2011/08/31 |
| Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 杨翠柏; 李晋闽 Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1479/301  |  提交时间:2011/08/31 |
| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2480/485  |  提交时间:2012/08/29 |
| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2474/513  |  提交时间:2012/08/29 |
| 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102492937A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1956/450  |  提交时间:2012/08/29 |