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GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12
发明人:  颜廷静;  苏艳梅;  王国东;  种 明
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紫外-红外双波段探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084157.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  颜廷静;  种明;  苏艳梅;  林孟喆;  王晓勇
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低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  林孟喆;  曹青;  颜庭静;  陈良惠
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