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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
半导体超晶格国家重... [17]
作者
王国伟 [1]
徐应强 [1]
汤宝 [1]
牛智川 [1]
文献类型
专利 [8]
期刊论文 [8]
学位论文 [1]
发表日期
2021 [2]
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2017 [1]
2013 [1]
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专题:半导体超晶格国家重点实验室
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期刊论文
作者:
Ma, Xiaole
;
Guo, Jie
;
Hao, Ruiting
;
Wei, Guoshuai
;
Chang, Faran
;
Li, Yong
;
Li, Xiaoming
;
Jiang, Dongwei
;
Wang, Guowei
;
Xu, Yingqiang
;
Niu, Zhichuan
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提交时间:2022/11/03
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, Guoshuai
;
Hao, Ruiting
;
Li, Xiaoming
;
Wang, Yunpeng
;
Fang, Shuiliu
;
Guo, Jie
;
Ma, Xiaole
;
Ren, Yang
;
Li, Junbin
;
Kong, JinCheng
;
Wang, Guowei
;
Xu, Yingqiang
;
Wu, Donghai
;
Niu, Zhichuan
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提交时间:2022/04/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhaoqiang Zheng
;
Jiandong Yao
;
Lianfeng Zhu
;
Wei Jiang
;
Bing Wang
;
Guowei Yang
;
Jingbo Li
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提交时间:2019/11/12
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期刊论文
作者:
Sun Yaoyao
;
Han Xi
;
Hao Hongyue
;
Jiang Dongwei
;
Guo Chunyan
;
Jiang Zhi
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Lv Yuexi
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Wang Guowei
;
Xu Yingqiang
;
Niu Zhichuan ⇑
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提交时间:2018/06/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo, Jie
;
Wang, Guowei
;
Lin, Xu
;
Hao, Ruiting
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提交时间:2014/05/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈燕,邓爱红,汤宝,王国伟,徐应强,牛智川
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提交时间:2013/05/29
中长波InAs/GaSb II类超晶格材料与红外探测器
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
王国伟
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提交时间:2012/07/02
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期刊论文
作者:
Xu, Yingqiang
;
Tang, Bao
;
Wang, Guowei
;
Ren, Zhengwei
;
Niu, Zhichuan
;
Xu, Y.(yingqxu@semi.ac.cn)
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
徐应强
;
汤宝
;
王国伟
;
任正伟
;
牛智川
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提交时间:2012/07/17
一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30
发明人:
王国伟
;
汤宝
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:1451/189
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提交时间:2011/08/30