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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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一种II型III-V族量子点材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人:  崔凯;  马文全;  张艳华
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一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:  崔凯;  马文全;  张艳华
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