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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Zhang BS;  Wu M;  Li DB;  Zhang JC;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Chen J;  Wang JF;  Wang YT;  Yang H;  Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu W;  Li DB;  Li CR;  Zhang Z;  Li, CR, Chinese Acad Sci, Beijing Lab Electron Microscopy, Inst Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: crli@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XX;  Chen Z;  Li DB;  Wu JJ;  Li JM;  Sun XH;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Zhu QS;  Wang ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu Y;  Liu XL;  Wang XH;  Lu DC;  Li DB;  Han XX;  Cong GW;  Wang ZG;  Lu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanlu@red.semi.ac.cn
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(In,Al)GaN 材料的MOCVD 生长及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  黎大兵
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, JM;  Lu, YW;  Li, DB;  Han, XX;  Zhu, QS;  Liu, XL;  Wang, ZG;  Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiemli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XX;  Li DB;  Yuan HR;  Sun XH;  Liu XL;  Wang XH;  Zhu QS;  Wang ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, W;  Li, DB;  Li, CR;  Shen, F;  Zhang, Z;  Li, CR, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Lab Electron Microscopy, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: crli@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, JJ;  Li, DB;  Lu, Y;  Han, XX;  Li, JM;  Wei, HY;  Kang, TT;  Wang, XH;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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