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| 一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 韩修训 ; 李杰民; 黎大兵; 陆沅; 王晓晖
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| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 黎大兵; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
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| 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵; 刘祥林; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴洁君; 韩修训; 李杰民; 黎大兵; 魏宏远; 康亭亭; 王晓晖; 刘祥林; 王占国
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| 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
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| (In,Al)GaN 材料的MOCVD 生长及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 黎大兵
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘祥林; 董逊; 黎大兵
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| 键合强度可调节的柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李昱峰; 韩培德; 陈振; 黎大兵; 王占国; 刘祥林; 陆大成; 王晓军; 汪度
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 严莉; 陈晓阳; 何世堂; 李红浪; 韩培德; 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 朱勤生; 王占国
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