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基于横向外延生长的GaN LED 特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  王良吉
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高功率GaN基激光器列阵的工艺制作和特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  季莲
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氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241546.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  季莲;  张书明;  刘宗顺;  杨辉
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利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084158.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  季莲;  张书明;  刘宗顺;  杨辉
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