中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236705.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李彦波;  张杨;  曾一平
Adobe PDF(898Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1412/254  |  提交时间：2011/08/31