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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: P. F. WANG ; G. Z. LUO ; H. Y. YU ; Y. J. LI ; M. Q. WANG ; X. L. ZHOU ; W. X. CHEN; Y. J. ZHANG ; , J. Q. PAN
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang H, Mi J, Zhou X, Meriggi L, Steer M, Cui B, Chen W, Pan J, Ding Y.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cui M; Zhou TF; Wang MR; Huang J; Huang HJ; Zhang JP; Xu K; Yang H; Cui, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China, tfzhou2007@sinano.ac.cn; kxu2006@sinano.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 屈盛; 张兴旺 ; 毛和璜; 余银祥; 韩增华; 汤叶华; 周春兰; 王文静
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 周旭亮; 于红艳; 米俊萍; 潘教青; 王圩
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| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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