中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 学位论文
作者:  周旭亮
Adobe PDF(10427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：913/108  |  提交时间：2014/05/28
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, X.L.;  Chen, Y.H.;  Ye, X.L.;  Xu, Bo;  Wang, Z.G.;  Zhou, X. L.(zhouxl06@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：928/71  |  提交时间：2012/06/14
水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1359/184  |  提交时间：2012/09/09
一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1145/207  |  提交时间：2012/09/09
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1183/183  |  提交时间：2012/09/09
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1078/163  |  提交时间：2012/09/09
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1111/183  |  提交时间：2012/09/09
硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06
发明人:  袁丽君;  于红艳;  周旭亮;  王火雷;  潘教青
Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：746/106  |  提交时间：2014/10/24
一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：710/72  |  提交时间：2014/12/25
一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：628/85  |  提交时间：2014/12/25