SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-1 of 1 Help

Filters    
Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
Inventors:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(573Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1084/286  |  Submit date:2010/03/19