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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DJ;  Shen B;  Bi ZX;  Zhang KX;  Gu SL;  Zhang R;  Shi, Y;  Zheng YD;  Sun XH;  Wan SK;  Wang ZG;  Shen, B, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: bshen@netra.nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai XH;  Zheng WH;  Ma XT;  Ren G;  Xia JB;  Cai, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: caixianghua@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai XH;  Zheng WH;  Ma XT;  Ren G;  Xia JB;  Cai, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: caixianghua@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘明;  陈晓红;  徐征;  滕枫;  衣立新;  高德文;  郭立群
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐晓华;  牛智川;  倪海桥;  徐应强;  张纬;  贺正宏;  韩勤;  吴荣汉;  江德生
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  屈玉华;  江德生;  边历峰;  孙征;  牛智川;  徐晓华
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