SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共48条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘明;  陈晓红;  徐征;  滕枫;  衣立新;  高德文;  郭立群
Adobe PDF(187Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:746/224  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李树深;  李新奇;  岑理相;  王亮;  艾合买提;  金光生;  白彦魁;  郑厚植
Adobe PDF(206Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1143/284  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cen LX;  Li XQ;  Yan YJ;  Zheng HZ;  Wang SJ;  Cen LX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:931/311  |  提交时间:2010/08/12
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:  Xie MH;  Cheung SH;  Zheng LX;  Tong SY;  Zhang BS;  Yang H;  Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
Adobe PDF(1325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1307/242  |  提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ;  Zheng LX;  Cheung SH;  Xie MH;  Tong SY;  Yang H;  Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(53Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1146/388  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan LX;  Li SS;  Liu JL;  Niu ZC;  Feng SL;  Zheng HZ;  Li SS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:850/258  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XQ;  Hu CY;  Cen LX;  Zheng HZ;  Yan YJ;  Li XQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(82Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1172/295  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xie MH;  Cheung SH;  Zheng LX;  Tong SY;  Zhang BS;  Yang H;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(1325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:857/211  |  提交时间:2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ;  Or CT;  Li Q;  Zheng LX;  Xie MH;  Tong SY;  Yang H;  Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(89Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:956/295  |  提交时间:2010/08/12
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zheng LX;  Xie MH;  Xu SJ;  Cheung SH;  Tong SY;  Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
Adobe PDF(193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1132/243  |  提交时间:2010/11/15
Surface Processes  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Gallium Compounds  Gan(0001) Surfaces  Reconstructions