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一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  张宁;  魏学成;  刘桂鹏;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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栅极与源漏极异面的GaN基HEMT的结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  程哲;  张韵;  张连
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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