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电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:  纪 刚;  孙国胜;  宁 瑾;  刘兴昉;  赵永梅;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  李晋闽
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连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-03, 2010-08-12
发明人:  陈彦超;  赵柏秦;  吴铁中;  任岩峰;  韩 海
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一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:  孙国胜;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  叶志仙;  刘兴昉
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减小温度梯度的激光晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  李晋闽;  林学春;  熊 波;  侯 玮;  郭 林;  赵鹏飞;  韩泽华;  李瑞贤
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氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  宁 瑾;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平
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半导体纳米结构的液滴外延生长及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  赵超
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Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Tang CG;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  冉启江;  韩培德;  全宇军;  高利朋;  曾凡平;  赵春华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾凡平;  韩培德;  高利朋;  冉启江;  毛雪;  赵春华;  米艳红
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄振;  于斌;  赵国忠;  张存林;  崔利杰;  曾一平
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