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作者:  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Yang T (Yang Ting);  Wu HL (Wu Hai-Lei);  Yan GG (Yan Guo-Guo);  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Ning J (Ning Jin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li JM (Li Jin-Min)
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一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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