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| 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 焦春美 ; 于英仪; 赵凤瑗
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| 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 赵凤瑗; 焦春美; 于英仪
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| 湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 曾一平; 孙国胜; 黄风义; 王雷; 赵万顺
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| 光纤侧圆柱面镀膜旋转装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241547.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 冯小明; 赵懿昊; 祁琼; 刘素平; 马骁宇
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| 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 闫果果; 曾一平
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| 一种多片碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 闫果果; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 曾一平
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| 一种原子层沉积设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 赵万顺; 张峰; 王雷; 曾一平
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| 蓝宝石图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人: 段瑞飞; 季安; 伊晓燕; 王莉; 樊中朝; 郭金霞; 潘岭峰; 黄亚军; 赵冀; 李镇
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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