|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人: 占 荣; 惠 峰; 赵有文
 Adobe PDF(347Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1826/292 | 提交时间：2010/08/12 |
| 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 董志远; 赵有文; 杨 俊; 段满龙
Adobe PDF(361Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1577/242 | 提交时间：2010/03/19 |
| 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵有文; 董志远; 段满龙; 魏学成
Adobe PDF(343Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1111/154 | 提交时间：2009/06/11 |
| InP单晶锭退火处理方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵友文; 段满龙
Adobe PDF(289Kb) | 收藏 | 浏览/下载：975/131 | 提交时间：2009/06/11 |
| 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-05-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵有文
Adobe PDF(340Kb) | 收藏 | 浏览/下载：658/103 | 提交时间：2009/06/11 |
| 晶片热处理用的样品架 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵有文
Adobe PDF(249Kb) | 收藏 | 浏览/下载：898/133 | 提交时间：2009/06/11 |
| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华
Adobe PDF(283Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1497/226 | 提交时间：2009/06/11 |
| 多晶硅碱性制绒方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437044A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 陈腾; 赵有文
Adobe PDF(579Kb) | 收藏 | 浏览/下载：2130/493 | 提交时间：2012/08/29 |
| 降低衬底表面残留杂质浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人: 刘京明; 赵有文; 王凤华; 杨凤云
Adobe PDF(553Kb) | 收藏 | 浏览/下载：714/105 | 提交时间：2014/10/24 |
| ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26
发明人: 谢辉; 赵有文
Adobe PDF(376Kb) | 收藏 | 浏览/下载：687/87 | 提交时间：2014/10/31 |
