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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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Zinc Oxide  Doping  Defect  
生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人:  占 荣;  惠 峰;  赵有文
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈燕;  邓爱红;  赵有文;  张英杰;  余鑫祥;  喻菁;  龙娟娟;  周宇璐;  张丽然
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡炜杰;  赵有文;  段满龙;  王应利;  王俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu B;  Lu YW;  Jin GR;  Zhao Y;  Wang XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Lu, YW, Beijing Jiaotong Univ, Dept Phys, Beijing 100044, Peoples R China. ywlu@bjtu.edu.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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