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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li Deyao);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Chen J (Chen Jun);  Chen LH (Chen Lianghui);  Chong M (Chong Ming);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Zhao DG (Zhao Degang);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Junwu);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JF (Wang J. F.);  Yao DZ (Yao D. Z.);  Chen J (Chen J.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Wang, JF, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. E-mail: wlino@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng JJ;  Zhao JH;  Bi JF;  Niu ZC;  Yang FH;  Wu XG;  Zheng HZ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng JJ;  Zhao JH;  Bi JF;  Zheng YH;  Jia QJ;  Niu ZC;  Wu XG;  Zheng HZ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi JF;  Zhao JH;  Deng JJ;  Zheng YH;  Li SS;  Wu XG;  Jia QJ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯利娜;  姚淑德;  周生强;  赵强;  王坤;  丁志博;  王建峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Wang JF;  Wang H;  Zhu JJ;  Zhang SM;  Zhao DG;  Jiang DS;  Yang H;  Jahn U;  Ploog KH;  Chen, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jchen@red.semi.ac.cn
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