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4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  申占伟
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4h-sic  场效应晶体管  No退火  Umosfet  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhengxin Wen;  Feng Zhang;  Member;  IEEE;  Zhanwei Shen;  Lixin Tian;  Guoguo Yan;  Xingfang Liu;  Lei Wang;  Wanshun Zhao;  Guosheng Sun;  Yiping Zeng
Adobe PDF(1287Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:265/0  |  提交时间:2018/06/01