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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZZ;  Wu ZH;  Chang K;  Peeters FM;  Zhang ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kchang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZJ;  Qu, SC;  Zeng, XB;  Zhang, CS;  Shi, MJ;  Tan, FR;  Wang, ZG;  Liu, JP;  Hou, YB;  Teng, F;  Feng, ZH;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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平板式电极结构 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-02-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刁宏伟;  廖显伯;  曾湘波;  郝会颖;  徐艳月;  张世斌;  胡志华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Y (Xu Ying);  Hu ZH (Hu Zhihua);  Diao HW (Diao Hongwei);  Cai Y (Cai Yi);  Zhang SB (Zhang Shibin);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Hao HY (Hao Huiying);  Liao XB (Liao Xianbo);  Fortunato E (Fortunato Elvira);  Martins R (Martins Rodrigo);  Hu, ZH, New Univ Lisbon, Dept Mat Sci, Monte Caparica, P-2829516 Caparica, Almada, Portugal. E-mail: zhu@uninova.pt
Adobe PDF(110Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1220/318  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu ZH (Hu Zhihua);  Liao XB (Liao Xianbo);  Diao HW (Diao Hongwei);  Cai Y (Cai Yi);  Zhang SB (Zhang Shibin);  Fortunato E (Fortunato Elvira);  Martins R (Martins Rodrigo);  Hu, ZH, New Univ Lisbon, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. E-mail: zhu@uninova.pt
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XS;  Xiong ZG;  Sun ZH;  Du W;  Lu L;  Chen HD;  Jin AZ;  Zhang DZ;  Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xsxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Zhang SY;  Ni HQ;  He ZH;  Zhao H;  Peng HL;  Yang XH;  Han Q;  Wu RH;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Zhang SY;  Ni HQ;  He ZH;  Sun Z;  Han Q;  Wu RH;  Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wudonghai@red.semi.ac.cn;  zcniu@red.semi.ac.cn
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1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  Wu, DH;  He, ZH;  Sun, Z;  Han, Q;  Wu, RG;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Improved Luminescence Efficiency  Temperature  Photoluminescence  Nitrogen  Origin  Diodes  
Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells 会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, Lisbon, PORTUGAL, SEP 04-09, 2005
作者:  Hu ZH (Hu Zhihua);  Liao XB (Liao Xianbo);  Diao HW (Diao Hongwei);  Cai Y (Cai Yi);  Zhang SB (Zhang Shibin);  Fortunato E (Fortunato Elvira);  Martins R (Martins Rodrigo);  Hu, ZH, New Univ Lisbon, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: zhu@uninova.pt
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