|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽
 Adobe PDF(676Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1442/220 | 提交时间：2009/06/11 |
| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
Adobe PDF(556Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1552/269 | 提交时间：2009/06/11 |
| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
Adobe PDF(676Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1470/246 | 提交时间：2009/06/11 |
| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
Adobe PDF(480Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1340/200 | 提交时间：2009/06/11 |
| 自动搅拌滴料桶 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人: 王大拯; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘秀英; 张海艳; 赖剑雷; 刘素平; 马骁宇
Adobe PDF(274Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1088/184 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽
Adobe PDF(302Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1281/213 | 提交时间：2009/06/11 |
| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平
Adobe PDF(404Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1093/177 | 提交时间：2009/06/11 |
| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(212Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1475/264 | 提交时间：2011/08/31 |
| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕 ; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(279Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1503/288 | 提交时间：2011/08/31 |
| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(301Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1824/288 | 提交时间：2011/08/31 |
