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| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1462/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(890Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:722/86  |  提交时间:2014/10/29 |
| 与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 季安; 杨富华 Adobe PDF(767Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:541/96  |  提交时间:2014/10/31 |
| 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(708Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:719/124  |  提交时间:2014/10/31 |
| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10 发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华 Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:722/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 基于核壳结构的热电器件制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 王珍; 祁洋洋; 张明亮; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(942Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:780/87  |  提交时间:2014/11/05 |
| 应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091406.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓峰; 张加勇; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(754Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1087/195  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091398.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓峰; 张加勇; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(759Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1089/193  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备图形化多孔硅结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 赵永梅; 杨香; 季安; 张明亮; 韩国威; 宁瑾; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(686Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:695/92  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 赵永梅; 季安; 张明亮; 杨香; 宁瑾; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(701Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:783/98  |  提交时间:2014/11/05 |