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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [1]
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2004 [1]
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WOS被引频次降序
硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张宝顺
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杨辉
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提交时间：2009/06/11
