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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Y;  Ma WQ;  Huang JL;  Zhang YH;  Huo YH;  Cui K;  Chen LH;  Shi YL;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang JL;  Ma WQ;  Wei Y;  Zhang YH;  Huo YH;  Cui K;  Chen LH;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. wqma@semi.ac.cn
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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Gaassb/gaas  Gaas  Lasers  Gain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang, DS, CAS, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Jiang DS;  Johnson S;  Zhang YH;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  霍永恒;  马文全;  种明;  张艳华;  陈良惠
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