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Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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Zinc Oxide  Doping  Defect  
倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-30, 2010-08-12
发明人:  张云霄;  廖栽宜;  赵玲娟;  朱洪亮;  潘教青;  王 圩
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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人:  石明吉;  曾湘波;  张长沙;  刘石勇;  彭文博;  肖海波
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氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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折射面入光探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
发明人:  廖栽宜;  张云霄;  周 帆;  赵玲娟;  王 圩
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边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  陆全勇;  张 伟;  王利军;  高 瑜;  尹 雯;  张全德;  刘万峰;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YM (Bai YiMing);  Wang J (Wang Jun);  Chen NF (Chen NuoFu);  Yao JX (Yao JianXi);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Zhang H (Zhang Han);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Huang TM (Huang TianMao);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Bai, YM, N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymbai@semi.ac.cn
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