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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Zhang HY;  Zhou GY;  Li TF;  Liu JQ;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
Adobe PDF(1941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1621/395  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Li TF;  Zhou GY;  Zhang HY;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  徐波;  张春林;  王占国 
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Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Liu HY;  Zhang ZY;  Shi GX;  Zhang CL;  Wang YL;  Liu FQ;  Xu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1314/256  |  提交时间：2010/03/29
Dots  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐波;  刘会贇;  王占国;  韩勤;  钱家骏;  梁基本;  丁鼎;  刘峰奇;  张金福;  张秀兰
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Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Liu HY;  Xu B;  Ding D;  Chen YH;  Zhang JF;  Wu J;  Wang ZG;  Liu HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Low Dimensional Structures  Molecular Beam Epitaxy  Nanomaterials  Inas Islands  Gaas  Growth  Gaas(100)  Thickness  Density  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Xu B;  Ding D;  Chen YH;  Zhang JF;  Wu J;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Xu B;  Gong Q;  Ding D;  Liu FQ;  Chen YH;  Jiang WH;  Ye XL;  Li YF;  Sun ZZ;  Zhang JF;  Liang JB;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(218Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1341/302  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YF;  Liu FQ;  Xu B;  Ye XL;  Ding D;  Sun ZZ;  Jiang WH;  Liu HY;  Zhang YC;  Wang ZG;  Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：909/238  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YF;  Ye XL;  Liu FQ;  Xu B;  Ding D;  Jiang WH;  Sun ZZ;  Liu HY;  Zhang YC;  Wang ZG;  Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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