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| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10 发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华 Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:741/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 基于核壳结构的热电器件制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 王珍; 祁洋洋; 张明亮; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(942Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:803/87  |  提交时间:2014/11/05 |
| 基于纳米线的平面热电器件的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 发明人: 祁洋洋; 张明亮; 王珍; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(1106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:785/81  |  提交时间:2014/11/24 |
| 面向片上集成的热电器件制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-15 发明人: 王珍; 祁洋洋; 张明亮; 杨富华; 王晓东 Adobe PDF(1189Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:847/70  |  提交时间:2014/11/05 |
| 基于纳米线的平面热电器件的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 发明人: 祁洋洋; 张明亮; 王珍; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(1106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:604/83  |  提交时间:2014/12/25 |
| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:612/1  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 李迪; 贾利芳; 何志; 樊中朝; 杨富华 Adobe PDF(982Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:518/2  |  提交时间:2016/09/12 |
| 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 刘胜北; 黄亚军; 杨香; 段瑞飞; 张明亮; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:628/3  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 王晓峰; 黄亚军; 潘岭峰; 樊中朝; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:517/2  |  提交时间:2016/09/12 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:586/5  |  提交时间:2016/08/30 |