|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
 Adobe PDF(428Kb) |  收藏 | 浏览/下载：741/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| 基于核壳结构的热电器件制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 王珍; 祁洋洋; 张明亮; 王晓东; 季安; 杨富华
Adobe PDF(942Kb) | 收藏 | 浏览/下载：803/87 | 提交时间：2014/11/05 |
| 基于纳米线的平面热电器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 祁洋洋; 张明亮; 王珍; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(1106Kb) | 收藏 | 浏览/下载：785/81 | 提交时间：2014/11/24 |
| 面向片上集成的热电器件制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-15
发明人: 王珍; 祁洋洋; 张明亮; 杨富华; 王晓东
Adobe PDF(1189Kb) | 收藏 | 浏览/下载：847/70 | 提交时间：2014/11/05 |
| 基于纳米线的平面热电器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 祁洋洋; 张明亮; 王珍; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(1106Kb) | 收藏 | 浏览/下载：604/83 | 提交时间：2014/12/25 |
| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(607Kb) | 收藏 | 浏览/下载：612/1 | 提交时间：2016/08/30 |
| 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 李迪; 贾利芳; 何志; 樊中朝; 杨富华
Adobe PDF(982Kb) | 收藏 | 浏览/下载：518/2 | 提交时间：2016/09/12 |
| 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 刘胜北; 黄亚军; 杨香; 段瑞飞; 张明亮; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(323Kb) | 收藏 | 浏览/下载：628/3 | 提交时间：2016/09/28 |
| 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 王晓峰; 黄亚军; 潘岭峰; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(392Kb) | 收藏 | 浏览/下载：517/2 | 提交时间：2016/09/12 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(683Kb) | 收藏 | 浏览/下载：586/5 | 提交时间：2016/08/30 |
