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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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用于测量红光超短脉冲半极大全宽度的自相关测量仪
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:
刘运涛
Adobe PDF(605Kb)
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浏览/下载:1467/246
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提交时间:2010/03/19
一种恒温装置及其控制方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张日清
;
刘祥林
;
杨少延
;
张晓沛
;
董向芸
Adobe PDF(604Kb)
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浏览/下载:1163/181
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提交时间:2009/06/11
高重复频率超短脉冲蓝紫光激光器
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
刘运涛
Adobe PDF(1478Kb)
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浏览/下载:1346/43
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
哈森其其格
;
张昀
;
刘宇
;
谢亮
;
祝宁华
Adobe PDF(314Kb)
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浏览/下载:1189/452
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提交时间:2010/11/23
以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
任芸芸
;
徐波
;
周惠英
;
刘明
;
李志刚
;
王占国
Adobe PDF(298Kb)
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浏览/下载:1397/234
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
金鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王智杰
;
王占国
Adobe PDF(527Kb)
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浏览/下载:1543/236
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备量子环结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王占国
Adobe PDF(492Kb)
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浏览/下载:1418/216
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提交时间:2009/06/11
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ren, YY (Ren Yun-Yun)
;
Xu, B (Xu Bo)
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Wang, ZG (Wang Zhan-Guo)
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Liu-Ming (Liu-Ming)
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Long, SB (Long Shi-Bing)
;
Ren, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yunyun_ren@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:801/262
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JT (Liu Jiang-Tao)
;
Zhou YS (Zhou Yun-Song)
;
Chen DF (Chen Dong-Feng)
;
Chen QM (Chen Qing-Mei)
;
Liu, JT, Capital Normal Univ, Dept Phys, Beijing 100037, Peoples R China. 电子邮箱地址: 263zys@263.net
;
dongfeng@ciae.ac.cn
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浏览/下载:765/172
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提交时间:2010/03/29