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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084036.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王俊;  白一鸣;  崇锋;  熊聪;  仲莉;  韩淋;  王翠鸾;  冯小明;  刘媛媛;  刘素平;  马骁宇
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