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| 半导体激光器热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王大拯; 冯晓明; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 苗杉杉; 董志远; 吕小红; 邓爱红; 杨俊; 王博
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| 一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 韩修训; 李杰民; 黎大兵; 陆沅; 王晓晖
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 孙文荣; 段满龙; 董志远; 杨子祥; 吕旭如; 王应利
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 董志远; 孙文荣; 段满龙; 杨子祥; 吕旭如
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| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 黎大兵; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
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| 在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆沅; 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵玲娟; 朱洪亮; 张静媛; 周帆; 王宝军; 边静; 王鲁峰; 田慧良; 王圩
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| Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者: Chen Z; Chua SJ; Yuan HR; Liu XL; Lu DC; Han PD; Wang ZG; Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition Semiconducting Iii-v Materials Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures Carrier Confinement Effect Transistors Photoluminescence Mobility Heterojunction Interface Hfets |
| Si(111)衬底GaN生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 陆沅
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