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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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Ⅲ族氮化物材料及GaAs基太阳能电池的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者:  袁海荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Wang XH;  Liu XL;  Han PD;  Yuan HR;  Wang D;  Wang ZG;  He ST;  Li HL;  Yan L;  Chen XY;  Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yuan HR;  Lu DC;  Liu XL;  Chen Z;  Wang XH;  Wang D;  Han PD;  Yuan HR,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiang XB;  Du WH;  Chang XL;  Yuan HR;  Xiang XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  刘祥林;  陆大成;  袁海荣;  韩培德;  汪度
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  袁海荣;  向贤碧;  陈庭金;  陆大成
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆大成;  刘祥林;  韩培德;  王晓晖;  汪度;  袁海荣
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