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| Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者: Liu XL; Yuan HR; Lu DC; Wang XH; Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Mg-doped Algan/gan Superlattices Resistivity Hole Concentration Polarization |
| In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 221, SAPPORO, JAPAN, JUN 05-09, 2000
作者: Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH; Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat & Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Gan Annealing Treatment In-doping Movpe Photoluminescence Chemical-vapor-deposition Phase Epitaxy Buffer Layer Films Sapphire |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH; Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat & Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者: Yuan HR; Lu DC; Liu XL; Han PD ; Wang XH; Wang D; Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algan/gan Heterostructures In-doping 2deg Electron Sheet Density X-ray Diffraction Etching Chemical-vapor-deposition Molecular-beam Epitaxy Phase Epitaxy Mobility Growth Films |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王晓晖; 刘祥林; 陆大成; 袁海荣; 韩培德; 汪度
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陆大成; 刘祥林; 韩培德; 王晓晖; 汪度; 袁海荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 袁海荣; 向贤碧; 常秀兰; 陆大成
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陆大成; 韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 汪度; 袁海荣; 王良臣; 徐萍; 姚文卿; 高翠华; 刘焕章; 葛永才; 郑东
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