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一种绝缘体上的硅基槽缝式光波导耦合器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-10, 公开日期: 3997
发明人:  刘 艳;  余金中
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利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
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利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JY (Zhang Jiang-Yong);  Cai LE (Cai Li-E);  Zhang BP (Zhang Bao-Ping);  Hu XL (Hu Xiao-Long);  Jiang F (Jiang Fang);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Zhang, JY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn;  qmwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈媛媛;  李艳萍;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈媛媛;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐海华;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo Jian-Chuan;  Zuo Yu-Hua;  Zhang Yun;  Ding Wu-Chang;  Cheng Bu-Wen;  Yu Jin-Zhong;  Wang Qi-Ming
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周亮;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Tao;  Liu Yi-Bao;  Yang Bo;  Wu He-Xi;  Gu Jin-Hu;  Yu Jin-Zhong;  Wang Qi-Ming
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