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面向III V Si多结太阳能电池的关键工艺研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  赵永强
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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
Adobe PDF(3734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：845/78  |  提交时间：2016/06/01
Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
碳化硅材料的异质外延生长技术和射频MEMS器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  赵永梅
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青霉素G效价测试系统的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1995
作者:  赵文勇
Adobe PDF(1979Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：695/4  |  提交时间：2009/04/13