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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ying J;  Zhang XW;  Yin ZG;  Tan HR;  Zhang SG;  Fan YM;  Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Zhang SG;  Tan HR;  Ying J;  Yin ZG;  Zhu QS;  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn;  paul.chu@cityu.edu.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Song HP;  Ying J;  Guo Y;  Yang AL;  Yin ZG;  Chen NF;  Zhu QS;  You JB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbyou@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan YM;  Zhang XW;  You JB;  Ying J;  Tan HR;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  应杰;  张兴旺;  范亚明
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