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基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  康贺;  王晓亮;  肖红领;  王翠梅;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  崔磊
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
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一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  王翠梅;  李百泉
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
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一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  王晓亮;  李巍;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  王翠梅;  李百泉
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