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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, YS (Peng, Yin-Sheng);  Xu, B (Xu, Bo);  Ye, XL (Ye, Xiao-Ling);  Niu, JB (Niu, Jie-Bin);  Jia, R (Jia, Rui);  Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CG;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Ye XL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang W;  Liang S Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Ye XL;  Wang W;  Liang S Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈微;  邢名欣;  任刚;  王科;  杜晓宇;  张冶金;  郑婉华
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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
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一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
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GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  徐波;  陈涌海;  王占国
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具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1266/218  |  提交时间：2009/06/11